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TF手机卡，SD相机卡， Monolith一体U盘等非标准封装存储芯片 [复制链接]

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张柏祯

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发表于 2016-7-13 02:07:11 |只看该作者 |倒序浏览

TF手机卡，SD相机卡， Monolith一体U盘等非标准封装存储芯片新技术突破：

目前 TF手机卡，SD相机卡， Monolith一体U盘等非标准封装存储芯片，由于非标准存储芯片封装千变万化，各不相同，所以，不能用标准适配器读取存储芯片。

Monolith U盘如上图

GROUP TF.jpg

TF卡如上图

目前只有ACE PC-3000FLASH和FE 有提供少数芯片脚位图，和少数解决方案。

这2家公司提供的非标存储介质脚位图只有几十种，远远不能满足用户的需求。

对于未知的一体封装存储介质，目前2家公司的解决方案是：

1.首先必须要找到和损坏存储介质盘完全一样的好盘。

2.用逻辑分析仪，截取分析好的存储介质相关引脚在数据读写传输时的时序图和波形，就可以分析出标准引脚定义。

3.根据所测的标准引脚定义焊接存储介质引线到PC-3000FLASH 电路板上。

4.读取芯片，分析虚拟重组数据。

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第一，找到完全绝对一样的好盘，可以说非常困难。这一条比较难实现。

第二，使用逻辑分析仪参考标准时序图和波形去分析引脚定义这点是可行的，但焊线和分析需要耗费大量时间，因电路板线间距比较密集，虽然有显微镜，但眼睛要好使才可以。

第三，由于少数些存储介质是多层线路，用传统方法去焊接导致非常不容易成功。

第四，某些存储介质内部主控或供电部分短路，此种方式依靠在电路板底部焊线是无效的！！

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那么有没有一种好的方法可以解决以上问题呢？

答案是肯定的

上图为：手机TF卡转接成标准引脚定义

TOSHIBA TF卡内部 NAND存储晶片.jpg

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上图为：TOSHIBA TF卡内部 NAND存储晶片转接成标准引脚,方便焊接到PC3000FLASH适配器上读取数据！

军达成承接非标芯片手机TF卡 SD卡 Mololiths等一盘存储介质内部 NAND存储晶片转接业务。

TF卡分解.jpg

TF卡内部 NAND存储晶片转接成标准引脚,方便焊接到PC3000FLASH适配器上读取数据！

军达成承接非标芯片手机TF卡 SD卡 Mololiths等一盘存储介质内部 NAND存储晶片转接业务。

1.TF卡内部 NAND存储晶片
2.3.5.6 电阻，电容，或电感，通过观察万用表测量即可测出，供电电路的电容常会出现短路现像，失容会导致供电不足，电阻电感开路会导致后级无供电

参加培训的以此图实物讲解 TF卡内部结构。

1-Samsung TF卡内部 NAND存储晶片转接成标准引脚.jpg