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发表于 2011-8-11 10:43:33 |只看该作者 |倒序浏览

25nm闪存固态硬盘容量缩水问题浮现

制造工艺的更新换代可以给闪存带来性能提升和成本的下降，这在玩家心目中几乎是公认的事实。然而大多数人可能忽略了事情的另一面，即闪存制造工艺升级带来的寿命问题。
随着半导体制程的进步，NAND闪存的可靠性会明显下降，需要付出更多的代价来满足ECC纠错需求，并预留更多存储单元来用于闪存老化，部分存储单元寿命用尽后的屏蔽、替代问题。比如，目前大量在固态硬盘中使用的34nm
MLC NAND闪存的存储单元实际写入寿命大概在5000次左右，而25nm闪存则只有3000次。
Intel和美光的合资企业是目前唯一能够量产25nm工艺NAND闪存的厂商，但这两家公司的25nm闪存固态硬盘产品却还没有批量上市。倒是在SSD领域动作频频的OCZ，已经拿出了搭配25nm闪存的SandForce方案Vertex 2系列产品。
据已经购得新版本Vertex 2固态硬盘的用户报告，120GB容量的25nm版产品在格式化前的实际容量只有115GB，比之前34nm版本少了5GB。OCZ在官方客服论坛上对此解释称，为了让SSD达到合理的预期使用寿命，他们不得不将预留闪存空间提高了几个GB，因此“120GB硬盘未格式化容量仅有115GB是完全正常的”。
对于容量虚标的质疑，OCZ也无奈的表示，固态硬盘内安装的NAND闪存芯片容量总和确实没有改变，因此不存在什么缩水、虚标的问题。5GB的附加容量开销是SandForce控制器的RAISE校验功能决定的，而该功能无法被厂商关闭，因此他们也没有办法改变。