数据恢复电子取证工具PC-3000FLASH 新版本9.4.6 已发布

JDCTS5

数据恢复电子取证工具PC-3000FLASH 新版本9.4.6 已发布！

本次更新带来更广泛的资源库、新增操作模式以及内置方案数据库集成。同时新增了针对最新 Intel 和三星存储芯片的 XOR 算法与高级 ReadRetries（读取重试）功能，助您攻克此前难以处理的数据恢复复杂案例。

一.升级办理

全新版本现已开放升级，办理升级需提交设备SN序列号，有升级需求可联系下方客服：

客服联系方式

QQ咨询：2440248146 / 3049573632 / 2397870754/2249168731

电话&微信（手机号同微信）：13331038895、17319155295、17319153073、13341136118

二、资料下载与教程链接

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主要增强功能列表

新增

针对 Intel NAND 芯片（ID = 56）的全新 Read Retry （读取重试）算法

新增

针对 Samsung 3D TLC V4 NAND 芯片（ID = 57）的全新 Read Retry（读取重试） 算法

新增

针对 Samsung 3D TLC V5 NAND 芯片（ID = 58）的全新 Read Retry（读取重试） 算法

新增

针对 Samsung 3D TLC V6 NAND 芯片（ID = 59）的全新 Read Retry （读取重试）算法

新增

Flash Solution Center（闪存方案中心）现已集成至 PC-3000 软件中。其启动按钮位于 PC-3000 Flash 主工具栏上：


                （“解决方案库”模式启动按钮图标）

该模式包含筛选功能，可依据操作步骤及参数查看方案结构：

               （“解决方案库”模式概览图）

新增

支持将客户定制的一体化（monolith）布局添加到个人数据库中，且该数据库在软件更新时不会被覆盖。使用前需指定个人数据库文件的路径。默认情况下，该文件位于软件安装目录中，文件名为“USERMONO.FDB”。

           （指定个人单体数据库文件的路径）

                     （“Add Monolith”模式界面）

新增

“BitMap”模式（用于“Bad Bytes Cutting”预处理方法）现已完全支持缩放比例非 100% 的 4K 显示器。

新增

可在执行任何操作前指定上电后的延时时间。此功能在处理带有主动控制器的单体存储设备时尤为必要，可让系统在上电后等待控制器与存储芯片通信结束，从而避免总线冲突：

                      （默认延时为 0 秒）

新增

在“带 ReadRetry 读取重试模式的自动 ECC 检测”功能中，可指定特定的页或多个页映射表进行检测：

   

                    （相关选择界面）

增强

“Add Translator（翻译器）”模式现支持大于 65,536 扇区的块。

改进

“基于数据分析（FAT32）镜像”模式现支持大于 100 MB 的大数据块。

新增

新的静态 XOR：

SK6213 BLK=192 PG=8640 (542+15x538)

SM3281 BLK=1152 PG=18432 (32+1142x16+32) REQ

IS817 BLK=512 PG=17600 (1094x16+32) C35811 V2

AU699x BLK=256 PG=17600 (1096x16) FOR ECC

AU699x BLK=256 PG=17600 (1096x16) FOR DATA

AU6989 BLK=5184 PG=18656 (1162x16) FOR BLOCK NUMBER

CBM2199 BLK=64 PG=8704 (1085x8) CF7ED4

PS2251-09 BLK=1728 PG=9296 (1138+7x1134) 9A9EF0

PS2251-19 BLK=2112 PG=18592 (1152+15x1146)

CBM2199 BLK=2304 PG=18592 (1085x16)

AU699x BLK=128 PG=18432 (1138x16) ECC

SSS3137 BLK=2304 PG=18592 (1154x16) A500B1

AU89103 BLK=5184 PG=18592 (1162x16) FOR ECC

AU89103 BLK=5184 PG=18592 (1162x16) FOR BLOCK NUMBER

新增

新的动态 XOR：

CUTBYTES SM2685 BLK=1152 PG=18432 (1130x16+32) EB2985 PL0+PL1

CUTBYTES SM2685 BLK=1152 PG=18432 (1140x16+32) EB2985 PL0+PL1

CUTBYTES SM2685 BLK=1152 PG=18432 (1142x16+32) EB2985 PL0+PL1

CUTBYTES SM3281 BLK=1152 PG=18432 (32+1140x16+32) PL0 V2

CUTBYTES SM3281 BLK=1152 PG=18432 (32+1140x16+32) PL1 V2

CUTBYTES SM3281 BLK=1152 PG=18432 (32+1142x16+32) PL0 V2

CUTBYTES SM3281 BLK=1152 PG=18432 (32+1142x16+32) PL1 V2

新增

新的存储芯片读取参数：

AD7E280B Hynix H25JGT8A1M

98DA9015 Toshiba TC58BVG1S3HTA00

453C9693 SanDisk SDIN5C4_32G_L

45489803 SanDisk Noname TSOP-48

983E98B3 Toshiba TC58LJG9T24TA0D

983EA803 Toshiba TH58LKT1X45BADE

新增

新的ECC 格式：

8640;542;15-538

9296;1138;7-1134

18592;1152;15-1146

18592;16-1085

18592;16-1154