PC-3000 Flash 如何操作/处理故障内存芯片

JDCTS5

有很多不同的存储芯片存在读取问题，例如未纠正的 ECC 错误、被“FF”或其他模式填充的转储等。

在本文中，我们想讨论不同的有问题的存储芯片及其解决方案。

http://blog.acelaboratory.com/wp-content/uploads/2016/03/Toshiba-256GB-TLC-NAND-Flash-Memory-Chip-620x400.jpg
TLCSamsung

EC D7 98 CA

在 PC-3000 Flash SSD 版中，添加了此类存储芯片的 6.4 版方法 – 读取重试。在这种情况下
，使用读取重试方法可以解决读取质量差的问题，而不会降低功率或冷却。但是，可能需要使用替代方法，因为读取重试选项不能保证 100% 的结果。

替代方法是降低功率或冷却。
为了降低功率，建议使用外部电源开关，允许在 1.50-3.3 V 范围内工作，电压调节为 0.01 V。
无法通过 PC-3000 Flash v.1、v.2 和 v.3 读卡器常规方式执行内存芯片读取的电源程序，我们建议在 PC-3000 闪存读卡器 v.4 或 PC-3000 闪存读卡器 v.3 上使用这种情况带电源适配器。

需要使用0.01 V步进的原因：

…现在我明白为什么0.01的步进如此重要了。低于 1.57 V 有很多错误1.57-只纠正错误1.58 – 非常快纠正1.59 – 几乎没有任何纠正

1.58-2.5 V 也有同样的情况。

EC D7 98 CE
EC DE 98 CE
EC A5 98 CE

这些是另一组有问题的芯片。
但是，冷却过程对此类存储芯片没有帮助。
这些存储芯片的唯一方法是降低功率。
这些芯片的一个特点是，如果电压低于 2.7 V，则无法读取 ID。
您可以在最小电压的边界上为这些芯片获得良好的结果，这就是为什么需要以 0.01 V 步进检查不同的电压值。

此外，在极少数情况下，ECC错误较多，所描述的方法没有得到很好的结果。
这种情况可以通过 4.1 V 电源值来固定。
根据数据表，存储芯片应该只能在 2.7-3.6 V （3.3 +/- 10%） 的范围内工作，但较大的 存储芯片可能会损坏，但在实践中它可以在 4 V 电源值下工作（但增加到更大的值是危险）。

让我们总结一下：

读取重试工作在3.6-3.9 V之间，但有时需要设置4 V值，ECC将得到完美纠正。

TLC Toshiba/Sandisk

98D79892

45D79892

98DE9892

45DE9892

…以及其他由WL算法读取的。

大多数 sch 内存芯片允许使用硬件读取重试选项，这有助于在不冷却和降低功耗的情况下改善读取结果。

请注意，冷却和降低功率程序不能改善结果，唯一的方法是使用活动的读取重试选项从子从子映射中重新读取问题扇区。

另请注意，Toshiba 和Sandisk 存储芯片具有不同的读取重试类型，并且不能使用错误的读取重试过程：

1. 从Toshiba内存读取重试。芯片不能用于 Sandisk存储器，反之亦然

2.不要混淆运行特定读取重试类型的技术标准。

如果无法确定存储芯片生产的技术标准，我们来查看以下关于6字节芯片ID解码的参考资料：

例如，我们有两个内存芯片：98DE98927656 和 98DE98927657。

看起来它们是相同的，但事实并非如此。差异不仅在于读取重试类型。

56 = 1010110

57 = 1010111

突出显示了负责定义Toshiba 和Sandisk芯片工艺流程的定义，如果您查看表格......

000 – 130 纳米。

001 – 90 纳米。

010 – 70 纳米。

011 – 56 纳米。

100 – 43 纳米。

101 – 32 纳米。

110 – 24 纳米。

111 – 19 纳米。

…然后很明显，98DE98927656 需要 Read Retry Toshiba 24 nm，但 98DE98927657 需要 19 nm。

32纳米TLC Toshiba и Sandisk.

存储芯片列表（读取重试 ID 16）：

98D798827600

98DEA8827A55

45D7988276D5

45D798827600

45C798B276D5

45D798B276D5

这些存储芯片也存在一些问题，因为：

1. 如果您在读取内存芯片时启用了“列管理错误”选项，则不允许读取Addings表，因此需要通过实用程序选项手动删除它们。

2 字节或 1 字节模式也是手动选择的，新芯片可以同时具有两种添加类型。

2. 基本上这些内存。芯片有很多位错误，这就是为什么 PC-3000 闪存实用程序有一个特殊的读取重试 ID 16 过程，允许通过子映射重新读取扇区。

替代方法（冷却、改变电源）不会带来好的结果。

MLC Toshiba/Sandisk

在这些制造商的 MLC 芯片中，存在一些问题。例如 98EE9532、98DE9532 等。

您可以分开此类内存。按页面大小值从 TLC 芯片中获取的芯片。

对于 MLC，它是 8676、8640、8832，

对于 TLC，它是 9216。

此外，您还可以在芯片 ID 中按第三个字节分隔 MLC 和 TLC。

例如，98DE 98 92 和 98DE 95 32：

98 = 10011000

95 = 10010101

以蓝色突出显示 - 字节负责数据库的计数，

以红色突出显示 - 字节负责存储芯片类型（SLC、MLC、TLC、QLC），可以是：

00 – SLC

01 – MLC

10 – TLC

11 – QLC

基于此，我们得到以下结果：

98DE9892 – 它是 TLC，98DE9532 是 MLC mem 芯片。

冷却程序对 Toshiba和Sandisk MLC 存储芯片没有帮助，降低功率程序有助于仅使用 24 nm 和 32 nm 工艺改善存储芯片的读取结果（而且并非总是如此）。

Pc-3000 Flash对此类存储芯片有两种类型的读取重试：

– 读取重试 ID 7（Toshiba模式 0）– 适用于 MLC Toshiba 32、24、19 nm。

– 读取重试 ID 14（Sandisk 模式 2）– 适用于 MLC Sandisk 24,19 nm。

通常，这些存储芯片的读取重试选项可以获得 100% 成功的结果。

MLC/TLC Hynix

ADDE94D2

这是一个有问题的存储芯片。降低电源程序几乎没有帮助，但在最后的Pc-3000 Flash软件版本中，您可以使用硬件读取重试选项。

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它允许获得 100%（或大约 100%）成功的结果。

MLC/TLC  Intel/Micron

总的来说，Intel公司自己并不生产 NAND 闪存芯片，他们是从Micron购买的，因此该芯片在各个方面基本相同。

MLC 和 TLC Micron存储芯片存在单元磨损引起的问题，结果转储会出现很多错误页面，但

冷却和降低电源程序无济于事。

对于Intel 和Micron内存芯片，您可以使用两种读取重试模式之一：

读取重试 ID 1 和读取重试 ID 2。

以下是读取重试选项的存储芯片芯片 ID 列表：

读取重试 ID 1 （L84A/C）

2C 64 44 4B

2C 84 C5 4B

2C 88 28 5F

2C 88 08 5F

2C 64 64 3C

2C A8 09 DF

89 88 24 4B

89 88 28 5F

读取重试 ID 2 （L74A）

2C 88 24 49

2C 88 24 4B

2C A8 05 CB

2C A8 25 CB

89 88 24 49

89 88 24 4B

89 88 04 4B

ECDE98CE和EC3AD9CE

内存芯片非常有问题，有很多细微差别。

首先要注意的是，这些前 4 个字节的芯片具有不同的技术标准的 ID，因此具有不同的读取重试和不同的读取参数。PC-3000 Flash 实用程序为这些芯片提供了 EXT ID，因此，选择类型 读取重试手册 不是必需的，但只是为了说明：

ECDE98CE 74C3 – 24 nm，读取重试 ID 21。

ECDE98CE 74C4 – 19 nm，读取重试 ID 20。

EC3AD9CE 74C3 – 24 nm，读取重试 ID 21。

EC3AD9CE 74C4 – 19 nm，读取重试 ID 20。

对于 ECDE98CE 74C4 和 EC3AD9CE 74C4 的某些修订版，需要使用读取重试 ID 19，但这种情况很少见，基本上是 ID 20。

如果这些存储芯片的存储单元损坏严重，则有一种很好的方法可以通过子映射重新读取有问题的扇区，并使用-2烙铁额外加热存储芯片到 150-250 *C 的。

还要注意的是，一些使用这些芯片的控制器可以在转储的开头和结尾写入一些垃圾数据，这些数据在任何情况下都不会被重新读取，这基本上是正常行为。

基本上控制器芯片是IS916EN/IS916D。

也可以EN2685F控制器芯片（在现代 SD 卡上使用）。

EC1AA8DE 88C5 和 EC3CE9DE 88C5

这些存储芯片具有与ECDE98CE和EC3AD9CE存储芯片不同的块大小和不同的平面计数。

因此，这些存储芯片的块大小不是标准的 256 页，换句话说，它不是 3 的倍数（而原始 TLC 三星 mem.chip 的块大小为 192 页），而且它具有不同的平面数，这为典型的交错消除过程引入了一些细微差别。

通常，具有 4 个 plance 的存储芯片的典型交错消除是（可能有一些差异）：

按块拆分（块大小 * 页面中的扇区数）

按块/页面连接对（页面中的扇区数）

按块拆分（块大小 * 页面中的扇区数*2）

按块/页面连接（页面中的扇区数*2）

基本上，对于这个内存芯片，需要使用具有以下参数的典型交错消除：

http://blog.acelaboratory.com/wp-content/uploads/2016/03/02.png

正如我们所看到的，这是 2 种典型的交错消除准备。

关于阅读：这些存储芯片的质量与ECDE98CE大致相同。

PC-3000 闪存为这些存储芯片具有特殊的读取重试 ID 17。

与ECDE98CE当前的存储芯片类似，可以通过加热到 150-250 C* 来改善读取结果，但有时可以达到 300 C*。

读取具有 9 和 109 电源方案的 TSOP 存储芯片的芯片 ID 时出现问题。

目前，一些存储芯片存在读取芯片 ID 的问题。

以下是有问题的存储芯片列表：

ECDE98CE74C3

ECDE98CE74C4

EC3AD9CE74C3

EC3AD9CE74C4

45DE94937657

45DE949376D7

454CA8927657

那么，获取芯片 ID 需要做什么：

1. 关闭 Flash 软件并从读卡器上取下存储芯片。

2. 重新插入 PC-3000 闪存 USB 数据线。

3. 打开（创建）Flash 任务。

4. 将存储芯片插入读卡器。

5. 启动读取芯片 ID 并按“跳过”按钮。

6. 从除 9 和 109 之外的所有电源方案中删除勾划。

7. 按“读取”按钮。

PC-3000 闪存读卡器上的问题可以通过最后一个固件解决。

更新到最新版本的手册可在您的 UpdateBox 中找到。

从潜在故障芯片读取转储的问题。

在某些情况下，MLC 存储芯片在读取过程后整个转储被“FF”填充时出现读取问题：

http://blog.acelaboratory.com/wp-content/uploads/2016/03/03-1.jpg

为什么会这样？

1. 最常见的是制造工具重新安装闪存驱动器，并忽略数据将丢失的警告。例如，Transcend Online Recovery 并不总是可以在开始修复尝试之前保存用户数据。

2、固件（控制器芯片）故障。此类问题并不少见，最常见于 SM3255EN/SM3257EN 控制器芯片上，也可能出现在 IS902 上。可以基于其他控制器芯片。

3、存储芯片劣化（逻辑电路故障或存储单元问题）。

让我们仔细看看。

如您所知，PC-3000 闪存读卡器直接从存储单元读取数据到转储。

Bsically 实用程序从存储单元获取正确（真实）的数据，但在某些情况下，存储芯片的内部逻辑超时很大并且工作缓慢。其结果是出现数据包间隙，存储芯片进入冻结状态，并传输填充"FF"模式或由读取器最后接收字节组成的页面。

可以通过增加和减少电源方法以及更改 Timings 值来解决此类问题。

在读取设置中，您可以找到用于更改时序值的窗口：

      http://blog.acelaboratory.com/wp-content/uploads/2016/03/04-1.jpg

在指定每个参数时，您可以在ONFI规范文档中读取（也可在UpdateBox中找到），请注意，正确选择读取选项可以消除通过“FF”或其他常量填充转储的问题。

基本上这个问题可以通过以下参数来解决（但可以是和其他参数）：

     http://blog.acelaboratory.com/wp-content/uploads/2016/03/05-1.jpg

！请注意，增加时间会增加阅读时间。 使用这些时序值转储重新读取过程

后，获得正确（真实）的用户数据：

http://blog.acelaboratory.com/wp-content/uploads/2016/03/06-2.jpg  

新的 19 nm SAMSUNG 存储芯片，无加热的技术。

仅适用于使用 PC-3000 闪存读卡器 v 3.0 + 电源适配器 + 外部 TSOP 适配器的用户以及使用 PC-3000 闪存读卡器 v 4.0 的用户。

此方法可用于以下存储芯片：

EC0000DE00C5

ECD598DE94C5

EC3CE9DE88C5

EC3AD9DE94C5

ECAEB8DE86C5

ECD798DE94C5

ECDE98DE94C5

EC1AA8DE88C5

1. 设置电源值，如屏幕截图所示：

    http://blog.acelaboratory.com/wp-content/uploads/2016/03/07-2.jpg

2. 设置时间：

    http://blog.acelaboratory.com/wp-content/uploads/2016/03/08.jpg

3.设置重读值：

   http://blog.acelaboratory.com/wp-content/uploads/2016/03/09-1.jpg

…然后启动重读程序。

最后我们得到了一个很好的读取结果：

  http://blog.acelaboratory.com/wp-content/uploads/2016/03/10.jpg

另请注意，读取重试并不是获得 ECC 问题良好结果的通用过程。