所有现代存储芯片的质量都极低。这意味着每一代新型存储芯片的不良单元数量都比上一代要多。这是因为存储芯片生产过程中采用的技术工艺不断缩小（最初为65纳米，随后变为45纳米、32纳米、25纳米，如今已降至20纳米、18纳米和14纳米），芯片内部的单元尺寸不断减小，单元间的隔离层也变得越来越薄。与此同时，开发者能够采用最新工艺在同一面积内布置更多单元，因此存储芯片的成本逐年下降，容量持续提升（但质量却每况愈下）。
现代内存芯片中的错误数量如此之多，以至于即使是全新的内存芯片也已存在大量坏单元（位错误）。这是一个真正的问题，因为刚生产出来的新芯片就已经是坏的，如果制造商将其放入固态硬盘（SSD）或闪存设备中，它将完全无法使用。这就是为什么制造商决定在所有内存芯片中添加一项新功能，即“坏列管理器”——它是一种表格，其中记录了所有关于损坏单元的信息。这个表格在内存芯片下线时就已经存在，并且该表格已经包含了所有坏单元的信息，这使得控制器在所有读写操作中都不会使用它们。
ACE Lab的开发人员决定添加一个特殊工具，该工具允许在使用此表中的信息读取时，剪切所有坏单元。但对于某些内存芯片和某些控制器而言，这个坏列并不够用，因此他们使用了一些位于转储中的额外列。不幸的是，我们的自动选项有时运行不佳，例如，在某些基于SM3257EN控制器的情况下，有时需要手动剪切这些额外列。
存在一种非常简单的方法来检测——芯片读取后，转储中是否出现了这些坏字节：
你可以尝试使用页面设计器 → 位图工具自行检查坏字节（Bad Bytes）。这是分析转储结构的一个非常有用的工具。如果你移动到页面末尾，并看到页面之间的偏移，这将是案例包含坏字节的第二个迹象。
最后，您可以尝试启动用于坏字节切割的特殊方法，该方法位于以下路径：数据准备 → 坏字节切割。
请注意，有时转储中的插入内容并不那么明显。因此，如果您的控制器是SM、PS、IS，但在纠错码自动检测的第一步中由于某种原因未检测到ECC，请做好寻找这些插入内容的准备。
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